Интел показује своју прву резидбу направљену у 10 нм, а прва ће стићи на фпга

Без сумње, Интел је на челу технологије за прераду силицијума и одувек је био један од најјачих заговорника категоризације у целој индустрији како не би дошло до забуне и у перспективи ставио своје вођство у процес. То је због тога што нису сви произвођачи чипова заснованих на силицијуму користили исте стандарде за мерење величине својих транзистора и играју се "прљаво" како би изгледали напредније него што заправо јесу.

Интел започиње производњу са својим 10нм Три-Гате процесом

Интелово вођство проширује се на 10 мм где намеравају да побољшају густоћу транзистора 2, 7 пута. Производња Интелових чипова на 10 нм почет ће у сектору ФПГА-ова који су најпогоднији кандидат због своје изузетно сувишне природе, у којој квар не би донио катастрофалне проблеме са погођеним чиповима, Интел може једноставно онеспособити појединачни низ врата са недостацима које треба искористити. Сви производни процеси су незрели у својим почецима, тако да у почетку нису погодни за производњу веома сложених монолитних чипова у којима би стопа успеха била прениска.

То је главни разлог што Интел ставља своју "Фалцон Меса" ФПГА архитектуру на тест са 10нм процесом. То омогућава компанији да додатно прилагоди производни процес од 10 нм са релативно ниским ризиком, који је мање осетљив на питања и недостатке у перформансама, а истовремено оптимизује за производњу својих најкритичнијих производа., углавном ЦПУ-и. Меса Фалцон-ов дизајн "ФПГА" такође ће искористити Интелово решење ЕМИБ за паковање, где се паковање чипова врши додатним силицијумским подлогама које омогућавају брже повезивање и пренос података између одвојених блокова силицијума. На тај начин се избегава потреба за потпуним силиконским интерпосером јер АМД користи своје Вега графичке картице, ефикаснији, али много скупљи начин да се то постигне.

То значи да Интел не треба да производи све компоненте чипа у истом ниско-ризичном, 10 -нм процесом високих перформанси јер могу да користе друге процесне чворове на 14 нм или чак 22 нм за делове који нису критични у погледу енергетски троше или не захтевају врхунску производњу.

Извор: тецхповеруп