Вести

Интел и микрони постижу високу густину складиштења на нан тлц-у

Anonim

Интел је спреман да снажно гурне већ најављено тржиште кућних ССД-ова који се припрема за покретање свог првог 3Д НАНД меморијског ССД уређаја у другој половини 2015.

Нови уређаји са 3Д НАНД-ом резултат су удруживања Интел-а и Мицрона, они су постигли технологију која може понудити 256Гб (32ГБ) капацитета за складиштење у једном МЛЦ матрицу, што се може повећати и до 48 ГБ по умрежу користећи ТЛЦ флеш меморија.

Самсунг такође користи ТЛЦ технологију, али је постигао складишни капацитет много нижи од оног који је постигао савез између Интел и Мицрон, а Корејци су достигли капацитет од 86 Гб и 128 Гб у МЛЦ односно ТЛЦ.

Нова густина складиштења података коју постижу Интел и Мицрон може у будућности довести до врло економичних ССД уређаја, заједно са другим уређајима који имају огроман капацитет складиштења у поређењу са постојећим.

Извор: двхардваре

Вести

Избор уредника

Back to top button