Компанија имтц каже да ће јој требати брзи рам ддр4 брзине

Иангтзе Мемори Тецхнологиес, ​​или ИМТЦ, кинески произвођач НАНД меморије, објавио је данас прилично шокантно саопштење: Према њима, они ће моћи да доведу брзину ДДР4 РАМ-а у НАНД меморију. Објашњавамо важност ове најаве.

НАНД брже него икад?

Тренутно брзина преноса ДДР4 меморије креће се од 17ГБ / с (не Гбпс) до 25.6ГБ / с, док НАНД меморија тренутног НВМе ССД-а може достићи око 3.5ГБ / с читања секвенцијално или 2, 1 ГБ / с секвенцијално писање. Отуда, ова најава представља могућност унапреда који никада није виђен у индустрији и од великог је значаја за компоненте као што су ССД или интерна меморија мобилних уређаја.

Нова технологија, названа "Кстацкинг Тецхнологи", такође има бржи развој (тачније време до продаје на тржиште или време на тржиште) и већу густину бита од традиционалног НАНД-а. Потоње нас поставља питање каква ће бити поузданост ових меморија при лошој брзини, јер уколико немају неке посебне карактеристике, већа густоћа бита обично је повезана са мањом издржљивошћу.

Упркос чињеници да је ИМТЦ нови играч на овом тржишту, морамо имати на уму да га нема нико други до кинеске владе и да има финансирање од 24 милијарде долара, што даје одређену веродостојност његовим циљевима.

Њен извршни директор, Симон Ианг, најавио је у саопштењу за штампу да ће сутра говорити на Самиту о флеш меморији и детаљно објаснити како ће постићи ово постигнуће. То је уз најаву АДАТА конференције о новим меморијама М.3, али оно што је најважније биће видјети колико месеци или година је потребно да се тај напредак види и да ли је заиста велик као онај који је најавио ИМТЦ.

Гуру3Д Фонт