Самсунг најављује 3нм мбцфет процес, 5нм ће стићи 2020. године

На тржишту мобилних СоЦ-а, ТСМЦ креће брзо када је у питању увођење нових чворова у процес производње. Данас је корејски технолошки гигант Самсунг објавио планове за разне процесне чворове. Они укључују 5нм ФинФЕТ и 3нм ГААФЕТ варијацију коју је Самсунг регистровао као МБЦФЕТ (Мулти-Бридге-Цханнел-ФЕТ).

Самсунг најављује 3нм МБЦФЕТ процес

Данас је на Самсунговом форуму у Санта Цлари компанија најавила планове за свој процес производње полуводича нове генерације. Велика најава је за развој Самсунговог 3нм ГАА који је компанија назвала 3ГАЕ. Самсунг је потврдио да је прошлог месеца издао дизајнерске комплете за чвор.

Самсунг је сарађивао са ИБМ -ом на процесним чворовима ГААФЕТ (Гате-Алл-Ароунд), али данас је компанија најавила своје адаптације на претходни процес. То се назива МБЦФЕТ и, према компанији, омогућава већу струју по батерији замењујући Гате Алл Ароунд нановире са наноселером. Замена повећава подручје вожње и омогућава додавање више врата без повећања бочног трага. Веома технички подаци, али са резултатом који би требало у великој мери побољшати развој ФинФЕТ-а.

Дизајн производа за Самсунгов 5нм ФинФЕТ процес, који је развијен у априлу, очекује се да буде завршен у другој половини ове године и да се уђе у масовну производњу у првој половини 2020. године.

У другој половини ове године, Самсунг планира да започне масовну производњу 6нм процесних уређаја и комплетан развој 4нм процеса. Дизајн производа за Самсунгов 5нм ФинФЕТ процес, који је развијен у априлу, очекује се да буде завршен у другој половини ове године и да се уђе у масовну производњу у првој половини 2020. године.

Вццфтецхгуру3д Фонт