Самсунг лансира нове ссд в погоне

Самсунг је објавио да је почео са производњом нових ССД-а од 250 ГБ са шестом генерацијом В-НАНД меморијских модула, нудећи нови оптимизовани дизајн са већим перформансама и нижим нивоима потрошње енергије.

Самсунг лансира нове В-НАНД ССД-ове

Иако САТА ССД од 250 ГБ по данашњим стандардима није толико импресиван, Самсунгова шеста генерација В-НАНД отвара врата будућим новим Самсунг-овим ССД дисковима са латенцијама мањим од 450 микросекунди и очитањима мањим од 45 микросекунди. Ово представља 10% смањење латенције, што резултира повећаном реактивношћу и перформансама. Поред тога, потрошња енергије се смањује за 15%.

Са новим 136-слојним В-НАНД-ом компаније, Самсунг нуди 40% више ћелија у односу на претходне дизајне у 96 слојева, што резултира већим капацитетом складиштења по јединици матрице површине.

Посетите наш водич о најбољим ССД дисковима на тржишту

Када упоређује 256 Гб чипове, Самсунг-овом новом НАНД-у је потребно далеко мање рупа за канале него раније, смањујући се са 930 милиона на 670 милиона, смањујући на тај начин величину матрице и сложеност производње. Самсунг тврди да ово омогућава повећање производне продуктивности од 20%. Ово повећање продуктивности по матрици омогућиће Самсунг-у да смањи трошкове производње, што је за компанију сјајна вест, имајући у виду смањење цена НАНД-а.

Касније ове године, Самсунг планира да створи већи 512Гб В-НАНД ТЛЦ користећи своју технологију шесте генерације, која ће омогућити стварање већих ССД-ова и високо-перформанси солид-стате уређаји за складиштење података.

Оверцлоцк3д фонт