Самсунг због губитка струје губи 60.000 меморија
Преглед садржаја:
Још проблема у вези са недостатком НАНД меморијских чипова, извештај из Тајвана и Јужне Кореје, осигурава да је Самсунг фабрика у Пиеонгтаеку, током 30 минута претрпела нестанак струје, што је упропастило не мање од 60.000 силиконских резина, који су требали довести до НАНД меморијских чипова.
Прекид напајања узроковаће више несташице НАНД меморије
Интегрисани кругови у силицијумским плочицама су невероватно мали, па било какви прекиди струје током производње имају катастрофалне последице. Рез који је претрпела Самсунг фабрика трајао је око 30 минута, што је довољно да се уништи укупно 60.000 силиконских резина. Ова бројка представља 11% Самсунгове месечне производње НАНД-а и 3, 5% светске производње, помоћу чега можемо добити представу о величини догађаја.
Препоручујемо да прочитате наш пост о најбољим тастатурама за ПЦ (Механичке, мембранске и бежичне) | Јануара 2018
Самсунг ради на агресивном ширењу производње НАНД меморије, што значи да ће се овај мањак снабдевања решити у наредним месецима, јер ће нови уређаји компаније стићи на мрежу, мада би у кратком року то могло чак и да повећа цену. НАНД, смањујући доступност на глобалном нивоу.
Непријатна вест, која долази у време када је цена НАНД меморије почела да се стабилише, а продајне цене ССД-ова већ опадају, мораће да се види шта ће се десити у наредних неколико недеља.
Оверцлоцк3д фонтИнтел објављује своју анализу губитка перформанси због слома и рањивости
Интел је објавио резултате тестирања утицаја на своје процесе рањивости Мелтдовн и Спецтре.
Самсунг оштећује милионе долара у меморији због нестанка струје
Самсунг оштећује милионе долара ДРАМ-а и НАНД меморије због прекида напајања електричном енергијом. Кажемо вам унутра.
Ук иии-в меморија, меморија бр
УК ИИИ-В Меморија је неиспарљива меморија која достиже брзине ДРАМ-а, али троши много мање енергије.
