Ск хиник развија 1знм 16 гиб (гигабит) ддр4 меморије

СК хиник је објавио да је развио нову 1Знм 16Гб (Гигабитс) ДДР4 меморију. 1Знм ће понудити највећу густину и укупни капацитет по периферији постојећих ДДР4 ДРАМ модула.

СК хиник развија 1Знм 16Гб ДДР4 меморију (Гигабитс)

Компанија тврди да је продуктивност нових 1Знм меморијских модула побољшана за око 27% у односу на линију претходне генерације 1Инм. Међутим, процес производње не захтева скупи екстремни ултраљубичасти литијум (ЕУВ), чинећи производњу 1Знм профитабилнијом него икад.

СК хиник 1Знм меморија подржава брзину преноса података до 3200Мбпс, што је најбржа брзина обраде података у ДДР4 интерфејсу. Нови меморијски модули од 1Знм повећавају енергетску ефикасност, чиме успешно смањују потрошњу енергије за око 40% у поређењу са модулима исте густине као претходни 1ИНнм 8Гб ДРАМ.

У процесу производње примењена је нова супстанца која се није користила у претходној генерацији, што максимизира капацитет 1Знм производа. Капацитет је количина електричне набоје коју кондензатор може да похрани, што је кључни елемент у раду ДРАМ-а. Такође је уведен нови дизајн у циљу повећања оперативне стабилности.

Посетите наш водич о најбољој РАМ меморији на тржишту

СК хиник планира проширити процес технологије 1Знм на читав низ примена, укључујући следећу генерацију преносивих ЛПДДР5 ДРАМ-а и ХБМ3, који ће бити најбржи ДРАМ у будућности.

Тецхповерупкитгуру фонт