Ск хиник већ испоручује своју 96-слојну клц 4д нанд фласх меморију

СК Хиник је данас објавио да је започео тестирање својих 96-слојних 4Д НАНД фласх чипова. Нови узорци укључују меморијску матрицу од 1 терабита (Тб), четвероструку ћелију (КЛЦ) која ће циљати следеће генерације ССЛ производа са високим капацитетом КЛЦ-а од којих се очекује да купци замене своје старије чврсте дискове.

СК Хиник већ испоручује своју 96-слојну КЛЦ 4Д НАНД флеш меморију компанијама ССД контролера

Прошле године СК Хиник је представио своју нову 96-слојну 4Д НАНД блиц технологију, намењену за надметање са сличним 96-слојним 3Д НАНД флеш технологијама других пружатеља технологија складиштења. Њихов циљ је био да омогуће што једноставнији прелазак на КЛЦ фласх технологију (опште познату као мање поуздане од ТЛЦ или МЛЦ) са довољно поузданости за већину потрошача.

КЛЦ технологија може похранити четири бита у једну флеш меморију, што значи да 33% више бита може бити смештено у нову флеш јединицу са истим бројем ћелија. Увођењем 96-слојних флеш чипова може се постићи још већа густина код следећих генерација флеш производа у поређењу са претходним производима од 72 слоја СК Хиник. То значи, веће јединице капацитета у истом простору.

Посетите наш водич о најбољим ССД драјвовима на тржишту

СК Хиник назива своју 4Д НАНД технологију јер користи комбинацију 3Д Цхарге Трап Фласх (ЦТФ) и Перипхери Ундер Целл (ПУЦ) технологије. Према добављачу, коришћењем 96 слојева може се постићи побољшана густина бита од 49% у поређењу са претходним 72-слојним НАНД 3Д производима компаније.

Према подацима ИДЦ- а, наведеним у најави, очекује се да ће тржишни удио КЛЦ-а на НАНД фласх тржишту достићи 3% у 2019. години на 22% 2023. године. Очекује се да ће тржиште предузећа ССД имати сложене годишње стопе раста (ТЦЦА) од 47, 9%, што би требало да доведе до брзе замене чврстих дискова током периода од пет година.

Томсхардваре фонт