Самсунг започиње производњу свог новог емрам меморије

Самсунг Елецтроницс објавио је данас да је започео серијску производњу својих нових еМРАМ меморија користећи производни процес од 28 нанометара (ФД-СОИ).

Самсунгови еМРАМ меморији обећавају револуцију у индустрији

МРАМ меморија је у развоју већ дужи низ година и то је нехлапива магнетна РАМ меморија, што значи да не губи податке када нема снаге, као што је то случај са нормалном РАМ меморијом данас.

Самсунгово еМРАМ решење засновано на 28ФДС нуди невиђене предности у погледу снаге и брзине уз нижу цену. Пошто еМРАМ не захтева јасан циклус пре писања података, његова брзина писања је приближно хиљаду пута бржа од еФласх-а. Уз то, еМРАМ користи нижи напон од Фласх меморије и не троши електричну енергију у искљученом режиму, што резултира високом енергетском ефикасношћу.

Предности у односу на меморије које се данас користе попут РАМ-а и Фласх меморије су револуционарне, са латенцијама од 1нс, већом брзином и већом отпорношћу. Меморије еМРАМ- а дизајниране су тако да замијене тренутну РАМ и Фласх НАНД меморију, мада ћемо за то морати мало причекати.

Каже се да ће први модули које је Самсунг створио имати врло ограничен капацитет. Корејска компанија није желела да даје превише детаља о модулима које производе, али намера је да почне са тестирањем модула од 1 ГБ пре краја 2019. Касније, Самсунг такође планира да направи еМРАМ користећи свој 18ФДС процес, као и чворове заснована на напреднијим ФинФЕТ-овима.

Ово је можда рођење нове ере када је у питању складиштење рачунара. Пратићемо његов развој.

ТецхповерупАнандтецх Фонт