Самсунг започиње производњу гддр6 меморије при 18 гбпс

Самсунг је објавио да је већ започео масовну производњу првих ГДДР6 меморијских чипова брзином од 18 Гбпс, што је најбржи до сада и који ће омогућити да нове графичке картице буду много моћније од садашњих.

Самсунг ће са 18 Гбпс ГДДР6 водити индустрију

ГДДР5 / Кс меморија је већ врло близу ономе што може понудити, тако да је индустрији потребна замена, ХБМ2 меморија се показала прескупом за употребу, тако да морате потражити друге могућности Овде долази нови ГДДР6, који обећава да ће бити много јефтинији за производњу.

Самсунг већ чини ХБМ2 меморије од 8 ГБ при 2, 4 Гбпс

Самсунгови нови 18 Гбпс ГДДР6 чипови биће лидери у сектору, захваљујући њима ћемо имати нову генерацију графичких процесора снажнијих од садашњих, нешто посебно важно у области видео игара, вештачке интелигенције и центара података.

Ове нове Самсунг меморије произведене су коришћењем његовог 10нм процеса, што омогућава стварање чипова са густоћом складиштења од 2 ГБ, што је двоструко више од ГДДР5Кс чипова створених процесом на 20 нм. Његова велика брзина од 18 Гбпс омогућава му да нуди више од двоструке брзине по пину у поређењу са 8 Гбпс ГДДР5 меморије.

Да би ово било могуће, кориштен је нови дизајн нискоенергетског круга, ове ГДДР6 меморије раде на напону од 1, 35 В да би смањили потрошњу енергије за око 35% у поређењу са ГДДР5 меморијом која ради на напону од 1, 5В. Ово је комбиновано са 30% већом продуктивношћу захваљујући минијатуризацији процеса на 10 нм у поређењу са 20 нм.

Тецхповеруп фонт